Проектування інтегральних мікросхем

Проектування інтегральних мікросхем

book type
0 Відгук(ів) 
LF/882986009/R
Російська
В наявності
95,00 грн
85,50 грн Збережіть 10%
  Моментальне завантаження 

після оплати (24/7)

  Широкий вибір форматів 

(для всіх пристроїв)

  Повна версія книги 

(в т.ч. для Apple та Android)

М.: НИЯУ МИФІ, 2009 рік — 150 сторінок. Кафедра мікро- та наноелектроніки, 27. Опис: Конспект лекцій присвячений питанням схемотехніки у рамках курсу проектування інтегральних мікросхем. Посібник містить основні поняття та теоретичні відомості, необхідні для освоєння процесу проектування елементів ІМС, що входять до бібліотеки першого рівня. Рекомендується студентам, які вивчають проектування інтегральних мікросхем. Зміст: Загальні принципи проектування ІМС Бібліотеки Робочі шари ІМС Основні шари твердотільних ІМС Робочі шари напівпровідникових ІМС Властивості матеріалів ІМС Число Гуммеля Мобільність носіїв у легованому напівпровіднику Обґрунтовані норми проектування — система l Контакти Контакт «метал-полупровідник» Топологія омічного контакту Контакти метал-метал Міжз’єднання Матеріали провідних доріжок Ширина провідних доріжок Опір і ємність провідної доріжки Провідна доріжка — розподілена RC-ланцюг Секційована шина з формувачем Перехрестя та перемички провідних доріжок Проектування ІМС на МОП-транзисторах МОП-транзистори Режими роботи МОП-структури та типи транзисторів Електричні характеристики МОП-транзисторів Вплив поверхневих дефектів на параметри МОП Особливості МОП із коротким і вузьким каналом Проектування МОП-транзисторів Конструктивні варіанти МОП КМОП ІМС КМОП-інвертор Захист від шумів у КМОП-інверторі Динамічні характеристики КМОП-інвертора Конструктивні варіанти КМОП-інвертора Багатовходові логічні елементи на основі КМОП Н-МОП ІМС Масштабування МОП-ІМС Проектування ІМС на біполярних транзисторах Загальні питання при проектуванні біполярних ІМС Проектування біполярних транзисторів Вертикальний n-p-n транзистор Багатоміттерний вертикальний n-p-n транзистор Горизонтальний p-n-p транзистор Масштабування біполярних транзисторів Біполярний транзистор із статичною індукцією Резистори в ІМС Диффузійні резистори Визначення ширини та ємності дифузійного резистора Пінч-резистор Тонкоплівковий резистор Конденсатори ІМС Конденсатори на основі p-n переходів Конденсатор на основі МОП-структури Діоди ІМС Діоди на основі p-n переходів Шотткі-діоди Проектування гібридних ІМС Підкладки гібридних ІМС Проектування плівкових резисторів Проектування плівкових конденсаторів Проектування плівкових індуктивностей Проектування плівкових провідників і контактних майданчиків Захист плівкових елементів Вибір навісних компонентів ГІС Розробка топології гібридних ІМС Конструктивні методи підвищення надійності ІМС Механізми пробою Пробій р-п переходу Пробій плавних р-п переходів Пробій МОП-структури Захист від статичної електрики Ефект статичної електрики Діодна схема захисту Пристрій на основі пМОПТ із товстим оксидом Схема на основі p-канального МОПТ Елемент захисту PIPE Запобігання явищу «защіпки» Підвищення надійності ІМС Основні параметри надійності Компоненти, що знижують надійність Методи підвищення надійності
LF/882986009/R

Характеристики

ФІО Автора
Белова Г.Ф.
Булушева М.А.
Попов В.Д.
Мова
Російська

Відгуки

Напишіть свій відгук

Проектування інтегральних мікросхем

М.: НИЯУ МИФІ, 2009 рік — 150 сторінок. Кафедра мікро- та наноелектроніки, 27. Опис: Конспект лекцій присвячений питанням схемотехніки у рамках курсу проек...

Напишіть свій відгук

15 книг цього ж автора

Товари з цієї категорії: