М.: НИЯУ МИФИ, 2009г. — 150 с. кафедра 27 микро- и наноэлектроники.Описание:Конспект лекций посвящен вопросам схемотехники в рамках курса проектирование интегральных микросхем. Пособие содержит основные понятия и теоретические сведения, необходимые для освоения проектирования элементов ИМС, составляющих библиотеку 1-го уровня. Предназначено для студентов, изучающих проектирование интегральных микросхем.Содержание:Общие принципы проектирования ИМСБиблиотекиРабочие слои ИМСОсновные слои твердотельных ИМСРабочие слои полупроводникаСвойства материалов ИМСЧисло ГуммеляПодвижность носителей в легированном полупроводникеОбобщенные нормы проектирования – l-системаКонтактыКонтакт «металл-полупроводник»Топология омического контактаКонтакты металл-металлМежсоединенияМатериалы токоведущих дорожекШирина токоведущих дорожекСопротивление и емкость токоведущей дорожкиТоковедущая дорожка – распределенная RC-цепьСекционированная шина с формирователемПересечения и перемычки токоведущих дорожекПроектирование ИМС на МОП транзисторахМОП транзисторыРежимы работы МОП структуры и типы транзисторовЭлектрические характеристики МОП транзисторовВлияния поверхностных дефектов на параметры МОП транзисторовОсобенности МОП транзисторов с коротким и узким каналамиПроектирование МОП транзисторовКонструктивные варианты МОП транзистораКМОП ИМСКМОП инверторПомехоустойчивость КМОП инвертораДинамические характеристики КМОП инвертораКонструктивные варианты КМОП инвертораМноговходовые логические КМОП логические элементыNМОП ИМСМасштабирование МОП ИМСПроектирование ИМС на биполярных транзисторахОбщие вопросы при проектировании биполярных ИМСПроектирование биполярных транзисторовВертикальный n-p-n транзисторМногоэмиттерный вертикальный n-p-n транзисторГоризонтальный p-n-p транзисторМасштабирование биполярных транзисторовБиполярный транзистор со статической индукциейРезисторы ИМСДиффузионные резисторыОпределение ширины и емкости диффузионного резистораПинч-резисторТонкопленочный резисторКонденсаторы ИМСКонденсаторы на основе p-n переходовКонденсатор на основе МОП-структурыДиоды ИМСДиоды на основе р-п переходовДиоды ШотткиПроектирование гибридных ИМСПодложки гибридных ИМСПроектирование плёночных резисторовПроектирование плёночных конденсаторовПроектирование плёночных индуктивностейПроектирование плёночных проводников и контактных площадокЗащита плёночных элементовВыбор навесных компонентов ГИСРазработка топологии гибридных ИМСКонструктивные методы повышения надежности ИМСМеханизмы пробояПробой резкого р-п переходаПробой плавных р-п переходовПробой МОП структурыЗащита от статического электричестваЭффект статического электричестваДиодная схема защитыУстройство на основе пМОПТ с толстым оксидомСхема на основе п-канального МОПТPIPE элемент защитыПредотвращение явления «защелки»Повышение надежности ИМСОсновные параметры надёжностиКомпоненты ненадёжностиМетоды повышения надежности