Фізичні основи проєктування кремнієвих цифрових інтегральних мікросхем у монолітному та гібридному виконанні

Фізичні основи проєктування кремнієвих цифрових інтегральних мікросхем у монолітному та гібридному виконанні

book type
0 Відгук(ів) 
LF/352779018/R
Російська
В наявності
157,50 грн
141,75 грн Збережіть 10%
  Моментальне завантаження 

після оплати (24/7)

  Широкий вибір форматів 

(для всіх пристроїв)

  Повна версія книги 

(в т.ч. для Apple та Android)

У навчальному посібнику викладені фізичні аспекти проектування цифрових кремнієвих мікросхем у твердотільному та гібридному виконанні. Розглядаються питання проектування МОП- та біполярних транзисторів і діодів, а також пасивних елементів — резисторів, конденсаторів, провідників і контактних вузлів. Детально описані особливості проектування компонентів гібридних мікросхем. Значну увагу приділено проектуванню МОП- та КМОП-інтегральних мікросхем, оскільки саме ці ІМС нині займають провідні позиції у виробництві мікросхем загалом. Особливістю цього навчального посібника є опис методів підвищення надійності та радіаційної стійкості ІМС, оскільки мікросхеми широко застосовуються в екстремальних умовах. Посібник розрахований на викладачів, аспірантів і студентів, що спеціалізуються у галузі мікроелектроніки, електроніки, електронних вимірювальних систем, а також на фахівців, які цікавляться підвищенням надійності й радіаційної стійкості ІМС.
LF/352779018/R

Характеристики

ФІО Автора
Белова Г. Ф.
Попов В.Д.
Мова
Російська
ISBN
9785811413751
Дата виходу
2013

Відгуки

Напишіть свій відгук

Фізичні основи проєктування кремнієвих цифрових інтегральних мікросхем у монолітному та гібридному виконанні

У навчальному посібнику викладені фізичні аспекти проектування цифрових кремнієвих мікросхем у твердотільному та гібридному виконанні. Розглядаються питання ...

Напишіть свій відгук

15 книг цього ж автора

Товари з цієї категорії: