Фізичні основи проєктування кремнієвих цифрових інтегральних мікросхем у монолітному та гібридному виконанні

після оплати (24/7)
(для всіх пристроїв)
(в т.ч. для Apple та Android)
У навчальному посібнику викладені фізичні аспекти проектування цифрових кремнієвих мікросхем у твердотільному та гібридному виконанні. Розглядаються питання проектування МОП- та біполярних транзисторів і діодів, а також пасивних елементів — резисторів, конденсаторів, провідників і контактних вузлів. Детально описані особливості проектування компонентів гібридних мікросхем. Значну увагу приділено проектуванню МОП- та КМОП-інтегральних мікросхем, оскільки саме ці ІМС нині займають провідні позиції у виробництві мікросхем загалом. Особливістю цього навчального посібника є опис методів підвищення надійності та радіаційної стійкості ІМС, оскільки мікросхеми широко застосовуються в екстремальних умовах. Посібник розрахований на викладачів, аспірантів і студентів, що спеціалізуються у галузі мікроелектроніки, електроніки, електронних вимірювальних систем, а також на фахівців, які цікавляться підвищенням надійності й радіаційної стійкості ІМС.
LF/352779018/R
Характеристики
- ФІО Автора
- Белова Г. Ф.
Попов В.Д. - Мова
- Російська
- ISBN
- 9785811413751
- Дата виходу
- 2013