Навчальний посібник. – Санкт-Петербург: Видавництво СПбГЕТУ «ЛЕТИ». – 2011. – 80 сторінок. Чорно-білий скан 600 dpi, OCR. У посібнику коротко описуються сучасні аналітичні методи елементного та хімічного аналізу поверхні, а також дослідження концентраційних профілів по глибині. Основну увагу приділено фізичним основам, принципам побудови спектрометрів, методичним особливостям проведення вимірювань і обробки інформації за допомогою електронної Ожеспектроскопії, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та мас-спектрометрії вторинних іонів. Посібник розрахований на студентів бакалаврату й магістратури, що навчаються за програмами «Електроніка та мікроелектроніка», «Нанотехнології та мікросистемна техніка» і «Електроніка й наноелектроніка», а також на наукових співробітників, які спеціалізуються у галузі фізики поверхні й меж розділу. Навчальний посібник створено у рамках реалізації проекту з розробки та апробації програми передової професійної перепідготовки і навчально-методичного комплексу, спрямованих на інвестиційні проєкти з виробництва сонячних модулів на базі технології «тонких плівок» компанії Oerlikon, що фінансується Фондом інфраструктурних та освітніх програм. Зміст Вступ Електронна Ожеспектроскопія Фізичні основи методу Кількісний аналіз Послойний аналіз Обладнання для досліджень ЕОСР Рентгенівська фотоелектронна спектроскопія Фізичні основи методу Поглинання фотона й іонізація внутрішнього рівня атома, ефекти початкового стану Генерація фотоелектрона та релаксація атома (ефекти кінцевого стану) Вихід фотоелектрона у вакуум (зовнішні ефекти) Кількісний аналіз Обладнання для досліджень Мас-спектрометрія вторинних іонів Іонне розпилення Іонно-іонна емісія Мас-спектрометрія вторинних іонів Обладнання для досліджень Методичні особливості ВІМСС Бібліографія