Учеб. пособие. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ". – 2011. – 80 с.ч/б скан 600 dpi, OCR.Дается краткий обзор современных аналитических методов элементного и химического анализа поверхностности, а также исследования концентрационных профилей по глубине. Основное внимание уделено физическим основам, принципам построения спектрометров, методическим особенностям проведения измерений и обработки информации методами электронной Ожеспектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и массспектрометрии вторичных ионов.Предназначено для подготовки бакалавров и магистров, обучающихся по программам «Электроника и микроэлектроника», «Нанотехнологии и микросистемная техника» и «Электроника и наноэлектроника», а также научных работников, специализирующихся в области физики поверхности и границ раздела.Учебное пособие подготовлено в рамках выполнения проекта по разработке и апробации программы опережающей профессиональной переподготовки и учебно-методического комплекса, ориентированных на инвестиционные проекты по производству солнечных модулей на базе технологии «тонких пленок» Oerlikon, финансируемого Фондом инфраструктурных и образовательных программ.ОглавлениеВведениеЭлектронная Оже-спектроскопияФизические основы методаКоличественный анализПослойный анализПриборная реализация метода ЭОСРентгеновская фотоэлектронная спектроскопияФизические основы методаПоглощение фотона и ионизация внутреннего уровня атома, эффекты начального состоянияГенерация фотоэлектрона и релаксация атома (эффекты конечного состояния)Выход фотоэлектрона в вакуум (внешние эффекты)Количественный анализПриборная реализацияВторичная ионная масс-спектрометрияИонное распылениеИонно-ионная эмиссияМасс-спектрометрия вторичных ионовПриборная реализацияМетодические особенности ВИМССписок литературы