У книзі представлено узагальнення накопиченого досвіду зі створення транзисторів на основі широкозонних матеріалів, зокрема, транзисторів на гетераструктурах типу Al. GaN/GaN і НВЧ пристроїв на їх основі. Детально описані властивості широкозонних напівпровідників, методи їх отримання і дослідження, а також способи створення гетероструктур на різних підкладках. Розглянута фізика гетеропереходів і двовимірного газу носіїв заряду. Детально аналізується технологія виробництва транзисторів з урахуванням наявного досвіду їх реального виготовлення. Наведено параметри транзисторів і надано характеристику перспективних напрямків в області їх використання. Розглянуто різні системи на кристалі і в корпусі, створені на основі гетеротранзисторів типу Al. GaN/GaN/Al2. O3 і Al. GaN/GaN/SiC. Книга буде корисна фахівцям в області електроніки, дослідникам, інженерам-практикам і розробникам радіоелектронної апаратури. Формування НВЧ сигналів в сучасних твердотільних радіоелектронних радіосистемах. Забезпечення високої якості сигналів за допомогою НВЧ приладів на нових напівпровідникових матеріалах. Конструкції НВЧ транзисторів на широкозонних матеріалах і гетероструктурах. Технологічні процеси створення GaN НВЧ транзисторів та інтегральних схем. Контроль параметрів гетероструктур в процесі розробки і виробництва. Контроль технології, параметрів і надійності GaN-транзисторів.