У цій роботі досліджується залежність електричного опору прямокутної пластинки гетероструктури InAs/AlSb із квантовою ямою, у якій розташований двовимірний електронний газ із високою рухливістю. Вимірювання проводяться при температурі рідкого гелію у транспортному гелієвому судині Дьюара. Магнітне поле до 30 кілоелектронвольт створюється за допомогою надпровідного гелієвого соленоїда. За співвідношенням розташування ступенек на графіку залежності опору від магнітного поля R(H), тобто за квантованими значеннями опору, визначається коефіцієнт заповнення рівнів Ландау — скільки рівнів Ландау заповнено електронами при даному магнітному полі.