Нееластична релаксація квазічастинок і детектування ІК фотонів у надпровідникових наноструктурах WSi: Монографія

після оплати (24/7)
(для всіх пристроїв)
(в т.ч. для Apple та Android)
Об’єктом дослідження є надпровідні наноструктури, створені з тонких плівок надпровідників, таких як NbN, WSi, а також алмазні плівки з домішкою бору. Вивчається фізика нерівноважного стану в тонкоплівкових надпровідних наноструктурах, що виникає при поглинанні інфрачервоних фотонів. Аналізується динаміка процесів енергетичної релаксації та механізм появи резистивного стану в надпровідних наноструктурах, виготовлених із тонких плівок NbN, WSi та алмазних плівок, легованих бором.
LF/308478445/R
Характеристики
- ФІО Автора
- Гольцман Г.Н.
Корнеев А.А.
Корнеева Ю.П.
Рябчун С.А.
Семёнов А.В.
Чулкова Г.М. - Мова
- Російська
- ISBN
- 9785426305670
- Дата виходу
- 2017