Транзистори на основі напівпровідникових гетероструктур: монографія

після оплати (24/7)
(для всіх пристроїв)
(в т.ч. для Apple та Android)
Книга «Транзистори на основі напівпровідникових гетероструктур: монографія» автора А. Н. Ковалева — це глибоке та всебічне дослідження однієї з найактуальніших тем у галузі напівпровідникової електроніки. У світі, де технології розвиваються неймовірними темпами, а вимоги до продуктивності й ефективності електронних пристроїв зростають щодня, ця праця стає настільною книгою для всіх, хто цікавиться сучасними досягненнями у сфері транзисторів та напівпровідникових матеріалів. У центрі уваги книги — транзистори, створені на основі напівпровідникових гетероструктур, які відкривають нові горизонти для розробки високошвидкісних та енергоефективних електронних пристроїв. Автор, А. Н. Ковалева, детально аналізує принципи роботи таких транзисторів, їх конструктивні особливості та переваги порівняно з традиційними аналогами. Читачі зможуть зануритися у світ складних фізичних процесів, що лежать в основі функціонування цих пристроїв, і зрозуміти, як саме гетероструктури здатні покращити характеристики транзисторів, такі як швидкість перемикання та рівень споживаної енергії. Ця книга буде цікавою як фахівцям у галузі електроніки та фізики, так і студентам, що вивчають ці дисципліни. Вона стане незамінним посібником для аспірантів і молодих учених, що прагнуть поглибити свої знання у сфері напівпровідникових технологій. Завдяки зрозумілому стилю викладу та детальним поясненням навіть ті, хто лише починає свій шлях у цій складній, але захоплюючій галузі, знайдуть у книзі корисну інформацію та натхнення. Тематика книги охоплює широкий спектр питань — від основ теорії напівпровідників до останніх досягнень у розробці нових матеріалів і технологій. Ковалева наголошує на важливості гетероструктур для створення транзисторів, здатних працювати на нових частотах і за підвищених температур. Це робить книгу особливо актуальною в контексті сучасних викликів, з якими стикається електроніка, таких як необхідність створення більш компактних і потужних пристроїв для мобільного зв’язку, обчислювальної техніки та інших високотехнологічних сфер. Стиль Ковалева відзначається ясністю та логічністю, що дозволяє читачам легко засвоювати навіть найскладніші концепції. Його попередні роботи вже здобули визнання в наукових колах, і ця книга не стане винятком. Відомий своєю здатністю поєднувати теоретичні знання з практичними прикладами, автор робить свої дослідження особливо цінними для тих, хто прагне не лише зрозуміти теорію, а й застосувати її на практиці. Якщо ви шукаєте літературу, яка допоможе вам розібратися у тонкощах напівпровідникових технологій або бажаєте розширити свої знання про транзистори на основі гетероструктур, «Транзистори на основі напівпровідникових гетероструктур: монографія» стане для вас справжньою знахідкою. Ця книга не лише збагатить ваш науковий кругозір, а й надихне на нові ідеї та розробки у галузі електроніки. Не пропустіть можливість доторкнутися до передових знань і відкрити для себе світ, де наука і технології зливаються воєдино, створюючи майбутнє, наповнене можливостями.
LF/902227259/R
Характеристики
- ФІО Автора
- А. Н.
Ковалев - Мова
- Російська
- ISBN
- 9785876234896
- Дата виходу
- 2011