Основи радіаційної технології мікроелектроніки: Розділ: Первинні процеси утворення радіаційних центрів у напівпровідниках

Основи радіаційної технології мікроелектроніки: Розділ: Первинні процеси утворення радіаційних центрів у напівпровідниках

book type
0 Відгук(ів) 
LF/316772864/R
Російська
В наявності
95,00 грн
85,50 грн Збережіть 10%
  Моментальне завантаження 

після оплати (24/7)

  Широкий вибір форматів 

(для всіх пристроїв)

  Повна версія книги 

(в т.ч. для Apple та Android)

Книга «№257 Основи радіаційної технології мікроелектроніки: Розділ: Первинні процеси утворення радіаційних центрів у напівпровідниках» авторів Ладигіна Є. А., Паничкина А. В., Горюнова Н. Н. та інших — унікальне видання, яке занурює читача у світ радіаційних технологій, що застосовуються в мікроелектроніці. Це не просто підручник, а справжня знахідка для студентів, аспірантів і фахівців, які прагнуть глибше зрозуміти процеси, що відбуваються на рівні напівпровідників, та їх взаємодію з радіацією. Книга починається з основ радіаційної технології, що дозволяє навіть новачкам у цій галузі отримати уявлення про ключові аспекти й принципи. Автори докладно розглядають первинні процеси утворення радіаційних центрів у напівпровідниках — важливий елемент для розуміння того, як радіація впливає на властивості матеріалів. Ці процеси не лише теоретично обґрунтовані, а й підкріплені практичними прикладами, що робить матеріал більш доступним і зрозумілим. Для кого ж призначена ця книга? Передусім, вона буде цікава студентам і аспірантам технічних спеціальностей, особливо тим, хто вивчає фізику напівпровідників, мікроелектроніку та радіаційні технології. Також книга стане корисним джерелом для дослідників і практиків, що працюють у галузі розробки нових матеріалів і технологій. Інженери й науковці, які займаються радіаційною обробкою напівпровідників, знайдуть тут багато корисної інформації та нових ідей для своїх проектів. Тематики, порушені у книзі, охоплюють широкий спектр питань, пов’язаних із радіаційними процесами та їхнім впливом на мікроелектронні пристрої. Автори наголошують на важливості розуміння цих процесів для створення більш ефективних і надійних технологій у галузі напівпровідників. Також у книзі порушуються питання радіаційної стійкості матеріалів — актуальна тема в умовах сучасних вимог до електроніки, що працює в екстремальних умовах, таких як космос або ядерна енергетика. Стиль викладу авторів відзначається ясністю й доступністю, що полегшує засвоєння складних концепцій. Ладигін, Панічкін і Горюнов — відомі фахівці у своїй галузі, і їхній досвід та знання відображені в кожній главі. Їхні попередні роботи також присвячені радіаційним технологіям і напівпровідникам, що додає цінності цій книзі як джерелу актуальної інформації. Якщо ви шукаєте літературу з тем, пов’язаних із радіаційними технологіями, напівпровідниками та мікроелектронікою, ця книга стане незамінним помічником. Вона не лише розширить ваші знання, а й надихне на нові дослідження та розробки. Читачі, зацікавлені у працях на кшталт «Фізика напівпровідників» або «Мікроелектроніка: основи й технології», знайдуть у цій книзі багато корисного й актуального. Наостанок, «№257 Основи радіаційної технології мікроелектроніки» — це не просто книга, а цілий світ знань, що відкривається перед вами. Вона заслуговує уваги всіх, хто прагне бути на передовій наукових досліджень і технологій, і допоможе краще зрозуміти складні процеси, що відбуваються у світі напівпровідників. Не пропустіть можливість поповнити свої знання й навички, поринувши у цю захоплюючу й пізнавальну роботу!
LF/316772864/R

Характеристики

ФІО Автора
А. В.
Горюнов
Е. А.
Ладыгин
Н. Н.
Паничкин
др.
Мова
Російська
Дата виходу
1994

Відгуки

Напишіть свій відгук

Основи радіаційної технології мікроелектроніки: Розділ: Первинні процеси утворення радіаційних центрів у напівпровідниках

Книга «№257 Основи радіаційної технології мікроелектроніки: Розділ: Первинні процеси утворення радіаційних центрів у напівпровідниках» авторів Ладигіна Є. А....

Напишіть свій відгук

15 книг цього ж автора

Товари з цієї категорії: