Фізико-хімічні основи процесів кристалізації: Розділ: Механізм і кінетика росту кристалів

після оплати (24/7)
(для всіх пристроїв)
(в т.ч. для Apple та Android)
Книга «№752 Фізико-хімічні основи процесів кристалізації: Розділ: Механізм і кінетика зростання кристалів» авторства Г. Д. Кузнецова — це захоплююче й глибоке дослідження, яке занурює читача у світ кристалів та їхнього утворення. Це видання стане цінним помічником для студентів, аспірантів, науковців і всіх, хто цікавиться фізичною хімією, матеріалознавством та суміжними галузями. У книзі Кузнецов детально аналізує механізми та кінетику росту кристалів, розкриваючи складні фізико-хімічні процеси, що лежать в основі кристалізації. Автор не лише пояснює теоретичні аспекти, а й підкріплює їх практичними прикладами, що допомагає краще зрозуміти, як ці процеси відбуваються у реальному житті. Важливою частиною роботи є аналіз різних факторів, що впливають на кристалізацію, таких як температура, тиск і склад розчинів. Це робить книгу корисною для тих, хто займається створенням нових матеріалів, а також для дослідників у галузі хімії й фізики. Кузнецов використовує ясну й доступну мову, що дозволяє навіть тим, хто не є спеціалістом у цій сфері, зануритися у вивчення кристалів. Його стиль поєднує наукову строгість із захопливістю, тому читання стає не лише пізнавальним, а й цікавим. У книзі багато ілюстрацій і схем, які допомагають уявити складні процеси і роблять матеріал зрозумілішим. Тематика, піднята у цій праці, охоплює широкий спектр питань, пов’язаних із кристалізацією. Читачі дізнаються про різні типи кристалів, їхні властивості та способи отримання. Кузнецов також розглядає вплив різних добавок на процес кристалізації, що може бути особливо цікаво тим, хто працює над новими технологіями у хімічній промисловості. Це видання стане незамінним посібником для студентів хімічних і матеріалознавчих спеціальностей, а також для фахівців, що працюють у лабораторіях і наукових інститутах. «№752 Фізико-хімічні основи процесів кристалізації» вирізняється серед інших наукових праць своєю глибиною та ретельністю викладу. Г. Д. Кузнецов — автор численних наукових публікацій, і його досвід та знання у галузі фізичної хімії роблять цю роботу особливо цінною. Читачі, знайомі з його попередніми роботами, оцінять послідовність і логічність подання матеріалу, а також увагу до деталей, яку автор проявляє протягом усього тексту. Ця книга буде цікавою не лише студентам і дослідникам, а й практикуючим інженерам, що працюють у сферах матеріалознавства й хімічної технології. Вона стане корисним довідковим посібником для тих, хто прагне поглибити знання про кристали та їхні властивості. Читачі, зацікавлені темами кристалічних структур, фізики твердого тіла й хімічних реакцій, знайдуть у ній багато корисної інформації. Отже, «№752 Фізико-хімічні основи процесів кристалізації: Розділ: Механізм і кінетика зростання кристалів» — це не просто підручник, а справжня енциклопедія знань про кристали, яка допоможе читачам краще зрозуміти цей дивовижний світ. Якщо ви прагнете розширити свої горизонти у галузі фізичної хімії та дізнатися більше про механізми кристалізації, ця книга стане вашим надійним супутником у захопливій подорожі світом науки.
LF/708582551/R
Характеристики
- ФІО Автора
- Г. Д.
Кузнецов - Мова
- Російська
- Дата виходу
- 1980