Излагаются вопросы теории гальваномагнитных эффектов в режимах ЭДС и тока Холла, в том числе в квантующих магнитных полях и в материалах со смешанной проводимостью. Рассматриваются их особенности в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках, слоистых структурах. Дается методология интерпретации нормальных и аномальных результатов измерений. Приводятся требования, предъявляемые к исследуемым образцам, анализируются мешающие явления. Рассматриваются способы измерения профиля подвижности и концентрации носителей, а также контактные и бесконтактные методы измерения гальваномагнитных эффектов.Для научных работников, занимающихся исследованием полупроводников и разработкой полупроводниковых приборов.