Томск: Изд. ТГУ, 1966, - 179 с. При прохождении заряженных частиц и гамма-квантов через вещество в последнем генерируется большое число дефектов, скорость и плотность образования которых зависит от интенсивности потока частиц, их энергии, глубины проникновения в образец, энергетического и пространственного распределения в нем, а также свойств облучаемой среды. В связи с этим для радиационной химии, радиационной физики и радиационной биологии представляет интерес изучение пробегов, потерь энергий, рассеяния и т. д. излучений в веществе. Поскольку при облучении любым видом радиации в материалах образуются вторичные электроны, участвующие в производстве дефектов, естественно начать рассмотрение проблемы с анализа взаимодействия электронов с телами. Первой стадии взаимодействия — диссипации энергии — электронов в веществе, но не последствиям облучения, посвящена данная работа.Содержание.Потери энергии на ионизацию.Эффект плотности.Энергия образования пары ионов.Удельная ионизация.Вероятные потери энергии на ионизацию. Флуктуация потерь энергии.Радиационные потери.Упругое рассеяние.Неупругое рассеяние электронов.Многократное рассеяние.Обратное рассеяние.Глубокое проникновение электронов.Пробег электронов.