Quantum Hall Effect: An Electronic Guide

after payment (24/7)
(for all gadgets)
(including for Apple and Android)
В работе измеряется зависимость сопротивления прямоугольной пластинки гетероструктуры InAs/AlSb с квантовой ямой, в которой находится двумерный электронный газ с высокой подвижностью. Измерения проводятся при температуре жидкого гелия в транспортном гелиевом сосуде Дьюара, магнитное поле до 30 кЭ создается сверхпроводящим гелиевым соленоидом. По взаимному расположению ступенек на зависимости R(H), т.е. квантованных значений сопротивления, определяется фактор заполнения уровней Ландау, т.е. сколько уровней Ландау заполнено электронами в данном магнитном поле.
LF/793932113/R
Data sheet
- Name of the Author
- Гавриленко В. И.
Иконников А. В. - Language
- Russian
- Release date
- 2010