Данная монография представляет собой результаты исследования фундаментальной проблемы физики магнитных явлений – влияния магнитного поля на электронный транспорт в различных средах. Изложены краткие теоретические основы спинтроники, представлены основные направления исследований перспективных материалов и структур для магниторезистивных явлений в области наноэлектроники. Выделены два магистральных направления развития структур для спинтроники и магноники: монокристаллические материалы с дефектами и многослойные гетероструктуры с полимерным слоем. Для первого направления подробно рассмотрены иттрий-железистые гранаты (ИЖГ). Описаны проявления фотомагнитных свойств для ИЖГ с различным допированием. Предназначена для преподавателей и научных сотрудников, работающих в области физики конденсированного состояния, студентов старших курсов, изучающих спинтронику и наноэлектронику.